2英寸1100um碳化硅切割片生產(chǎn)廠家 未拋光

目前碳化硅晶片主流為6英寸，而蘇州恒邁瑞公司依然為客戶保留2英寸4英寸碳化硅襯底片及碳化硅切割片生產(chǎn)供應(yīng)。2英寸碳化硅切割片厚度可定制1100um 120um等等，4英寸未研磨未拋光SiC切割片厚度500um 650um 900um等等，可供研磨設(shè)備，拋光設(shè)備，金剛石砂輪等測(cè)試驗(yàn)證用。

碳化硅相較于*、二代半導(dǎo)體材料具有更優(yōu)良的熱學(xué)、電學(xué)性能，如寬禁帶、高導(dǎo)熱、高溫度穩(wěn)定性和低介電常數(shù)等，這些優(yōu)勢(shì)使得以碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料廣泛應(yīng)用于高溫、高頻、高功率以及抗輻射等工況.作為高性能微電子和光電子器件制造的襯底基片，碳化硅襯底加工后的表面、亞表面質(zhì)量對(duì)器件的使用性能有著極為重要的影響，因此，其加工不僅要保證較高的面型精度和亞納米級(jí)的粗糙度，還要避免表面及亞表面損傷.碳化硅的主要加工過(guò)程分為切割、磨削/研磨以及拋光，其中磨削/研磨以及拋光這兩道工序是決定碳化硅襯底最終加工質(zhì)量?jī)?yōu)劣的關(guān)鍵工序 .