6英寸未研磨碳化硅切割片供應(yīng)商 900um

作為8英寸碳化硅襯底晶片生產(chǎn)生之一，恒邁瑞公司也為廣大客戶提供未研磨未拋光的碳化硅切割晶片，厚度選擇多，有400um 500um 600um 900um 1100um等等，采購(gòu)量大也可支持定制厚度。碳化硅切割晶片以導(dǎo)電N型居多，測(cè)試D級(jí)，研究R級(jí)及產(chǎn)品P級(jí)均可穩(wěn)定供應(yīng)，價(jià)格優(yōu)惠被廣泛應(yīng)用測(cè)試驗(yàn)證。歡迎有需求的公司或高校與我司聯(lián)系獲取參數(shù)及報(bào)價(jià)。

日本立命館大學(xué)（Ritsumeikan University）一研究團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)了一種新型的ECMP（電化學(xué)機(jī)械拋光）技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了約15μm/h的材料去除率，使得SiC拋光得到大幅度提升。團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)的這種技術(shù)，在拋光過(guò)程中，碳化硅襯底作為陽(yáng)極，與拋光板（陰極）之間夾著SPE/CeO2復(fù)合材料襯墊。當(dāng)施加偏置電壓時(shí)，碳化硅表面與SPE發(fā)生電解反應(yīng)，形成一層易于去除的氧化膜，這層氧化膜隨后被襯墊中的CeO2顆粒去除。

該技術(shù)的優(yōu)勢(shì)在于：環(huán)保高效：ECMP技術(shù)避免了使用有害的液體化學(xué)物質(zhì)，減少了對(duì)環(huán)境的影響；高去除率：該技術(shù)實(shí)現(xiàn)了約15μm/h的材料去除率（MRR），是傳統(tǒng)CMP的10倍；質(zhì)量高：通過(guò)ECMP處理的碳化硅襯底表面光滑，粗糙度可降至亞納米級(jí)別。