8英寸200mm碳化硅切割片廠家 拋光測(cè)試

想要采購(gòu)*尺寸碳化硅切割片用于新技術(shù)拋光測(cè)試研磨測(cè)試嗎？恒邁瑞公司為國(guó)內(nèi)外客戶及高等院校提供目前碳化硅市場(chǎng)*直徑200mm8英寸SiC切割片及碳化硅雙拋襯底晶片。未研磨8英寸碳化硅切割片厚度600um，也可支持定制厚度，雙拋碳化硅襯底晶片厚度500um為導(dǎo)電N型，亦可提供8英寸半絕緣晶片。

目前化學(xué)機(jī)械拋光的材料去除率以及加工后的表面粗糙度，已經(jīng)很難通過(guò)改變工藝取得大的突破。在CMP拋光的基礎(chǔ)上施加增效輔助，成為了近些年大幅度提高材料去除率和降低表面粗糙度的*選擇。ECMP是一種利用電解液作為拋光液，將工件的電化學(xué)腐蝕與機(jī)械拋光相結(jié)合的精密工藝。在單晶SiC (作為陽(yáng)極)表面帶電后通過(guò)陽(yáng)極氧化產(chǎn)生氧化層，然后用軟磨料機(jī)械去除氧化層，最后獲得超光滑無(wú)損傷的表面。該技術(shù)方法通常用于產(chǎn)生難以通過(guò)機(jī)械拋光實(shí)現(xiàn)的光澤的表面。