600um900um1100um碳化硅切割片廠家未磨拋

恒邁瑞公司作為碳化硅晶錠生產(chǎn)廠商，為廣大有磨拋測試需求的客戶供應(yīng)2至8英寸碳化硅切割片。切割片從碳化硅晶錠多線切割而來，未進行研磨及拋光加工工序，厚度選擇多樣性，有500um 600um 900um 1100um等等，若量大我司也支持定制生產(chǎn)。碳化硅切割片適用于磨拋設(shè)備，金剛石砂輪，磨料測試等。

在碳化硅(SiC)單晶襯底的研磨過程中，通常采用含有金剛石顆粒的研磨介質(zhì)來執(zhí)行加工，分為初步研磨和精細研磨兩個階段。初步研磨階段的目的是通過使用較大粒徑的磨粒來提升加工的效率，并移除多線切割過程中產(chǎn)生的刀痕和變質(zhì)層；而精細研磨則旨在通過較小粒徑的磨粒去除初步研磨所引入的加工損傷層，以及進一步細化表面的粗糙度。

研磨方法分為單面研磨和雙面研磨。雙面研磨技術(shù)能有效地優(yōu)化SiC襯底的翹曲度和平整度，相較于單面研磨，它通過同時使用上下兩個研磨盤對襯底兩面進行加工，從而實現(xiàn)更均勻的力學(xué)效應(yīng)。在單面研磨或磨削過程中，襯底通常被蠟固定在金屬盤上，這種固定方式在施加加工壓力時會導(dǎo)致襯底輕微變形，進而引起襯底的翹曲，影響平面度。相比之下，雙面研磨在開始時對襯底*點施加壓力，使之發(fā)生變形并逐步平整。隨著*點逐漸被磨平，施加在襯底上的壓力也會逐漸減少，這樣襯底在加工過程中受到的力更為均勻，從而在去除加工壓力后大大減少了翹曲變形的可能。這種方法不僅提高了襯底的處理質(zhì)量，也為后續(xù)的微電子制造過程提供了更加理想的基礎(chǔ)。