耗盡型D-mode硅基氮化鎵外延片廠商

恒邁瑞公司生長(zhǎng)供應(yīng)4英寸6英寸及8英寸耗盡型GaN-on-Si硅基氮化鎵外延片D-mode，采用675um或1000um硅襯底，外延層參數(shù)可定制，氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料，具有遠(yuǎn)優(yōu)于*、二代半導(dǎo)體的禁帶寬度、導(dǎo)通電阻、熱導(dǎo)率。氮化鎵的禁帶寬度是硅的3倍、亦高于碳化硅；擊穿電場(chǎng)為硅的10倍、較硅可耐受更高電壓；因此，同樣額定電壓的氮化鎵開關(guān)功率器件的導(dǎo)通電阻幾乎比硅器件低3個(gè)數(shù)量級(jí)，大大降低了開關(guān)的導(dǎo)通損耗；同時(shí)，氮化鎵是少見的同時(shí)具備高電子遷移率（1,250 cm2/Vs）和高飽和電子漂流率（2.2*107cm/s）的材料，意味著其所能承載的電流密度更高，因此能夠在同尺寸的晶體管中產(chǎn)生更高的射頻頻率；氮化鎵的熱導(dǎo)率為砷化鎵的4倍左右，且具備高熱穩(wěn)定性等優(yōu)勢(shì)。

基于氮化鎵的性能，氮化鎵外延片主要適用于高功率、高頻率、中低電壓下的應(yīng)用場(chǎng)合，具體體現(xiàn)在：1）高禁帶寬度：高禁帶寬度使得氮化鎵器件耐壓水平提高，可以輸出比砷化鎵器件更高功率，特別適合5G通訊基站、軍用雷達(dá)等領(lǐng)域；2）高轉(zhuǎn)換效率：氮化鎵開關(guān)電力電子器件的導(dǎo)通電阻比硅器件低3個(gè)數(shù)量級(jí)，能明顯降低開關(guān)導(dǎo)通損耗；3）高熱導(dǎo)率：氮化鎵的高熱導(dǎo)率使其具備優(yōu)良散熱性能，適合用于大功率、高溫度等領(lǐng)域器件的生產(chǎn)；4）擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度：雖然氮化鎵的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度與氮化硅接近，但受半導(dǎo)體工藝、材料晶格失配等因素影響，氮化鎵器件的電壓耐受能力通常在1000V左右，安全使用電壓通常在650V 以下。