自支撐氮化鎵襯底晶片生產(chǎn)商硅摻非摻

恒邁瑞公司作為氮化鎵襯底晶片生產(chǎn)廠家之一，為國內(nèi)外客戶供應(yīng)自支撐氮化鎵襯底晶片，尺寸涵蓋2英寸及4英寸，摻雜類型分為N型非摻雜，硅摻雜及半絕緣型Fe鐵摻雜。GaN氮化鎵材料在電力電子器件領(lǐng)域多用于電源設(shè)備。 由于結(jié)構(gòu)中包含可以實現(xiàn)高速性能的異質(zhì)結(jié)二維電子氣，GaN器件相比于SiC器件擁有更高的工作頻率，加之可承受電壓要低于SiC器件，所以GaN電力電子器件更適合高頻率、小體積、成本敏感、功率要求低的電源領(lǐng)域，如輕量化的消費電子電源適配器、無人機用超輕電源、無線充電設(shè)備等。