SI2305  P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET

該SI2305采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（ON），低閘極電壓為2.5V低柵極電荷和操作。本裝置適用于負(fù)荷開(kāi)關(guān)或在PWM應(yīng)用。
總體特征
●VDS = -20V，id= -4.1a
RDS（ON）< 75mΩ@ VGS = -2.5V
RDS（ON）< 52mΩ@ VGS = -4.5v
●高功率和電流處理能力
●無(wú)鉛產(chǎn)品獲得
●表面貼裝封裝
應(yīng)用
●PWM應(yīng)用
●負(fù)荷開(kāi)關(guān)
●電源管理

什么是MOS管：

MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。

　　雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場(chǎng)效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance，定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。

　　場(chǎng)效應(yīng)管的名字也來(lái)源于它的輸入端（稱為gate）通過(guò)投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流。事實(shí)上沒(méi)有電流流過(guò)這個(gè)絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來(lái)作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）。因?yàn)镸OS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管。